EFFETTO DELLA FREQUENZA D'USO SUI POTENZIALI CORRELATI AD EVENTI IN UN COMPITO DI RICONOSCIMENTO MNESICO DI PAROLE

Negli ultimi anni vari autori hanno utilizzato i Potenziali Correlati ad Eventi (ERP) nello studio della memoria. In paricolare, un effetto frequentemente riportato e' quello relativo alla maggiore positivita' degli ERP elicitati dagli stimoli appresi rispetto a quelli elicitati dagli stimoli non appresi. Anche se questo effetto e' stato spesso interpretato in riferimento alla memoria, ipotesi alternative (processi di "target detection", differenti livelli di confidenza, processi "aspecifici") non possono essere escluse. Abbiamo, quindi, studiato l'effetto della frequenza d'uso degli ERP registrati su 9 soggetti impegnati in un paradigma di riconoscimento mnestico di parole. La presenza di un'interazione tra frequenza d'uso e categoria stimolo (target vs. distrattori) confermerebbe infatti l'esistenza di una relazione tra ERP e memoria. Durante la fase di apprendimento 80 parole ad alta e 80 parole a bassa frequenza sono state presentate binauralmente. Successivamente le stesse parole (target) sono state presentate frammiste ad un eguale numero di distrattori ad alta e bassa frequenza. Gli ERP sono stati registrati mediante elettrodi posti in Fz, Cz e Pz. I risultati mostrano che gli stimoli a bassa frequenza sono piu' frequentemente riconosciuti rispetto agli stimoli ad alta frequenza. Gli ERP registrati durante la fase test mostrano una maggiore negativita' per i distrattori nell'intervallo di latenza 200-650 msec. L'effetto della frequenza inizia 200 msec. dopo la presentazione dello stimolo per i soli distrattori e prosegue, nell'intervallo 500-650 msec., indipendentemente dalla categorizzazione dello stimolo come target o distrattore. Tra i 200 e i 500 msec. soltanto gli ERP elicitati dai distrattori sono differenziati tra stimoli ad alta e bassa frequenza, mentre una differenza tra stimoli target e distrattori e' presente solo per le parole ad alta frequenza. I risultati in questo esperimento sono, quindi, compatibili con l'ipotesi che componenti negative, quali la N400, possano riflettere processi che occorrono durante il recupero di item della memoria.